【摘 要】
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应用DC（直流）反应磁控溅射设备在硅基底上制备TiO2薄膜,在固定的电源功率下,氩气流量为42.6sccm,氧流量为15sccm,溅射时间为30分钟的条件下,通过控制靶基距改变TiO2薄膜的光学
【机 构】
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东北大学; 中山大学; 中国科学院广州能源研究所; 中国科学院金属研究所;
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应用DC（直流）反应磁控溅射设备在硅基底上制备TiO2薄膜,在固定的电源功率下,氩气流量为42.6sccm,氧流量为15sccm,溅射时间为30分钟的条件下,通过控制靶基距改变TiO2薄膜的光学性质。应用n&k Analyzer 1200测量,当靶基距增加时薄膜的平均反射率降低同时反射低谷先短波后长波之后再短波;靶基距对消光系数k影响较大;随着靶基距的增加薄膜的折射率出现了下降的趋势,但当靶基距达到一定的量值时折射率的变化趋于稳定。通过XRD和SEM表征发现,随着靶基距的增加TiO2的晶体结构由金红石相向锐钛矿相转变,薄膜的表面的颗粒度大小由粗大变得微小细密。
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