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该文分析了半导体器件内低频噪声的形式及产生机理，指出半导体器件内闪烁噪声（1／f噪声）及产生—复合噪声（g-r噪声）与器件的表面和体内的缺陷 具有密切关系。因此理论上用半导体低频噪声来筛选不可靠器件是可能的。这种可靠性筛选新方法具有快速、简易、非破坏性的优点。该文通过大量试验证明这种方法的可行性及可能达到的效果。同时也指出要达到实用程序还必须进行大量的研究工作。（本刊录）