在不同的真空度下，采用热蒸发硅碎片的方法，在PAN碳纤维上原位生长了不同形貌的碳化硅纳米线。通过X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(SEM)及透射电镜(TEM)等测试手段分析了产物的相组成，形貌及微结构。X射线衍射图谱表明产物中同时存在碳纤维及β-SiC相。选区电子衍射图表明所得SiC纳米线为单晶。考察了真空度对碳纤维原位生长SiC纳米线的影响并讨论了SiC纳米线的VS生长机理。结果表明：真空度对SiC纳米线的形貌、生长方式等都有影响。在低真空度(1.1Pa)的情况下，得到以碳纤维为轴呈发散状阵列生长的棒状SiC纳米线；在较高的真空下(4×10-2Pa)得到针状的SiC纳米线；在高真空下(4×10-3Pa)得到直径约30nm的弯曲的SiC纳米线。热蒸发法碳纤维原位生长碳化硅纳米线在陶瓷基复合材料、场致电子发射等领域具有潜在的应用意义。