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在CMOS超大规模集成电路的输入和输出电路设计中，ESD的考虑是设计的重要内容，传统的提高ESD的保护方法（一般指增大尺寸）对于I/O电路的速度来说会带来负面的影响（ESD保护水平提高，而同时又使得I/O速度降低）。为了避开这对矛盾，我们可以从组成I/O电路的器件结构着手，通过改善工艺条件使获得的组成I/O电路的器件尺寸不变（不影响I/O电路速度），但同时提高了I/O电路抗ESD水平。