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本文利用局部耦合法对半导体器件反向器进行EMP耦合效应研究,重点在电磁场环境下,半导体器件瞬时失效及瞬时扰动.
半导体器件反向器电流注入法EMP耦合效应
【摘 要】
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本文利用局部耦合法对半导体器件反向器进行EMP耦合效应研究,重点在电磁场环境下,半导体器件瞬时失效及瞬时扰动.
【机 构】
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中国工程物理研究院,电子工程研究所,四川绵阳,621900
【出 处】
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第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会
【发表日期】
：
2005年期
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