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本文采用等离子体刻蚀的方法在氮化铝薄膜上制备了氮化铝纳米锥阵列，形成的氮化铝锥具有高长径比和分布均匀的特点，并能通过改变刻蚀参数对氮化铝锥的彤貌和密度进行控制。场发射特性测试结果显示氮化铝锥阵列的场电子发射能力较氮化铝薄膜有很大程度的提高，具有较低的开启电场，并能在低外电场情况下可获得较高的发射电流密度。氮化铝纳米锥不仅作为宽带隙纳米材料，同时还具有负电子亲和势以及显示出的优异场发射特性都使其在场发射器件及其它真空电子学领域具有广泛的应用潜力。