【摘 要】
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本文介绍了600 VPT型及NPT型IGBT的产品研制及在相关领域的应用.600 V IGBT的试验测试曲线及数据分析表明：两种方案的IGBT,其击穿电压BVCES都满足大于600 V要求；NPT型IGBT
【机 构】
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江苏东光微电子股份有限公司,江苏宣兴214205
【出 处】
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2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会
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本文介绍了600 VPT型及NPT型IGBT的产品研制及在相关领域的应用.600 V IGBT的试验测试曲线及数据分析表明：两种方案的IGBT,其击穿电压BVCES都满足大于600 V要求；NPT型IGBT的阈值电压为5V,PT型略小为3.6 V；NPT型IGBT的饱和压降值VCE(sat)与仙童同类产品接近为1.8V,而PT型饱和压降值较小为1.4 V.
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