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SiC(0001)衬底上大面积双层石墨烯的可控外延生长
【机 构】
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中国科学院物理研究所表面物理国家重点实验室 北京 100190;清华大学物理系低维量子物理国家重点实验室 北京 100084
【出 处】
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中国物理学会2011年秋季学术会议
【发表日期】
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2011年9期
其他文献
众所周知,沉积在Si(111)表面的纳米Pb 岛具有显著的量子尺寸效应.我们利用低温STM 研究了有机半导体红荧烯分子在铅岛上的吸附和生长,以及半金属Bi 薄膜的生长.
会议
在外延薄膜的生长过程中,应力释放对薄膜的结构和形貌起着至关重要的作用.探索应力释放的特点和规律,有利于更好地控制外延薄膜的质量.截止到目前,也已发现的应力释放机制有,表面重构,台阶捆绑,小面化,及失配位错等.