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该文分析了碲镉汞体晶生长过程中的复杂性。认为通过晶体生长工艺的改进，能获得高性能均匀性良好的体晶材料。因此，对碲镉汞体晶生长技术的研究不应该是仃滞；而是应该加大研究力度。使碲镉汞体晶材料能更好满足当前器件发展的需求。
碲镉汞体单晶生长技术及其进展
【摘 要】
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该文分析了碲镉汞体晶生长过程中的复杂性。认为通过晶体生长工艺的改进，能获得高性能均匀性良好的体晶材料。因此，对碲镉汞体晶生长技术的研究不应该是仃滞；而是应该加大研究力
【机 构】
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部十一所(北京)
【出 处】
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中国航空学会光电技术研讨及学术交流会
【发表日期】
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1997年期
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