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通过高铟组分实现的InGaN 绿光发光二极管(LEDs),其能效远低于同等红光和蓝光LEDs,这种能效不高的现象被称为“绿光缺口”。利用绿色荧光粉涂覆在蓝光LEDs 芯片上也可以实现绿光LEDs,但是其绿光光谱较宽,单色性较差,无法满足显示技术所要的高单色性色彩性能。
二维钙钛矿CsPbBr3纳米片的制备及其高单色性绿光LEDs性能研究
【摘 要】
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通过高铟组分实现的InGaN 绿光发光二极管(LEDs),其能效远低于同等红光和蓝光LEDs,这种能效不高的现象被称为“绿光缺口”。利用绿色荧光粉涂覆在蓝光LEDs 芯片上也可以
【机 构】
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重庆大学光电技术及系统教育部重点实验室,重庆400044
【出 处】
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第十四届全国发光学学术会议
【发表日期】
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2016年11期
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