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该文阐述了当前１．５－４．５ＫＶ高压ＩＧＢＴ的最新制造技术和典型器件结构。结论是高压大电流ＩＧＢＴ器件的开发成功将为未来电力电子技术的发展提供新的机遇和挑战。
高压IGBT制造技术的最新动向
【摘 要】
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该文阐述了当前１．５－４．５ＫＶ高压ＩＧＢＴ的最新制造技术和典型器件结构。结论是高压大电流ＩＧＢＴ器件的开发成功将为未来电力电子技术的发展提供新的机遇和挑战。
【机 构】
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电力电子技术研究所
【出 处】
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中国电工技术学会电力电子第六次全国学术会议
【发表日期】
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1997年期
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