【摘 要】
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最近新合成出来的二维平面材料C2N由于拥有合适的光学带隙（1.96e V）和较高的载流子迁移率,可应用于电子和光电子设备中。目前已成功制备出基于C2N晶体的场效应晶体管,并表现出
【机 构】
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中国科学技术大学化学与材料科学学院; 量子信息与量子科技前沿协同创新中心;
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最近新合成出来的二维平面材料C2N由于拥有合适的光学带隙（1.96e V）和较高的载流子迁移率,可应用于电子和光电子设备中。目前已成功制备出基于C2N晶体的场效应晶体管,并表现出了一些优越的性能如高的开关比107[1]。在基于碳氮材料制备的各种电路器件中半导体与金属接触的载流子注入效率对器件的整体性能起到了至关重要的作用,但是关于二维C2N半导体-金属接触的实验和理论研究却是极少的。因此我们利用第一性原理计算系统的研究了6种不同的常见金属（Al,Ag,Au,Sc,Pt,Pd功函数跨度3.45-5.75e V）与单层C2N接触的电子结构,来找到与C2N形成欧姆接触或者肖特基势垒最低的金属材料。
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