【摘 要】
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目前,液晶显示在信息显示领域中正占越来越重要地位,MIM有源矩阵是液晶显示中的一个重要发展方向.该文阐述了有源矩阵液晶显示中MIM薄膜二极管(TFD)的结构及工作原理;在分析
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目前,液晶显示在信息显示领域中正占越来越重要地位,MIM有源矩阵是液晶显示中的一个重要发展方向.该文阐述了有源矩阵液晶显示中MIM薄膜二极管(TFD)的结构及工作原理;在分析了国内外研究现状及存在问题的基础上,对MIM-TFD单管的制备技术进行了较深入的研究;并用AFM和TEM对Ta<,2>O<,5>膜进行了微观结构分析,找出了MIM-TFD的Ⅰ-Ⅴ特性与Ta<,2>O<,5>绝缘膜内部微结构之间的关系.该文采用了数种不同工艺制备Ta<,2>O<,5>膜作MIM-TFD的绝缘膜.该文还研究了用光刻法制备MIM-TFD阵列的工艺,制备出3×3 MIM-TFD阵列,并得出其Ⅰ-Ⅴ特性最后,该文根据AES及TEM分析结果建立了采用反应溅射/阳极氧化二步法工艺制备出的MIM-TFD的微观结构模型和绝缘膜内部能带模型,尝试用非晶态能带概念来解释Ta<,2>O<,5>绝缘膜内部能带结构;并结合Ⅰ-Ⅴ测试结果分析了MIM-TFD的导电机理.
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