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该文探讨了GaAs HBT在高速和射频领域的应用前景;介绍了HBT的基本原理、基本结构及主要类别;分析了GaAs基HBT制作的关键工艺;较好的解决了InGaP发射极的腐蚀问题,制作出WSi+Ti/Au型的T型发射极并获得性能良好的器件;最后,对HBT在无线和光纤通信中的应用作了探讨.
GaAs基HBT器件及工艺研究
【摘 要】
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该文探讨了GaAs HBT在高速和射频领域的应用前景;介绍了HBT的基本原理、基本结构及主要类别;分析了GaAs基HBT制作的关键工艺;较好的解决了InGaP发射极的腐蚀问题,制作出WSi+T
【机 构】
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天津大学
【出 处】
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天津大学
【发表日期】
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2001年期
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