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红外光谱是研究材料电荷动力学行为的重要探测手段,在探测密度波能隙和自由载流子响应方面具有独特的优势。我们成功的生长了RTe2系列的单晶样品,并对其掺杂改变的电荷密度波相变温度。对三种样品CeTe1.95,LaTe1.95和CeTe1.79Se0.16做了详细的红外光谱测量。Se的掺杂可以压制电荷密度波的相变温度和能隙大小。 对于低波数的光谱特征,我们认为是由Te空位引起的电子局域化效应所导致的。对Na2Ti2Sb2O做了红外光谱的测量,明确观察到114K附近的相变并指认其为密度波相变。费米面很大的部分打开了能隙,并且导致散射率较强的载流子丢失。2Δ/kBTs的值很大,表明体系存在很强的涨落效应。Na2Ti2As2O的光谱实验发现了两个密度波相变,第一个是在320K并且打开了很大的能隙;第二个是在42K,样品发生了金属到绝缘体的转变。我们成功的搭建了太赫兹泵浦太赫兹探测的实验装置,并得到泵浦和探测两束太赫兹光。