LED照明是未来照明领域的发展趋势，白光LED技术的发展则引领着LED照明走向未来。LED照明在对比传统的照明灯具时，具有体积小、发光效率高、发热量小、节能等优势，然而，白光LED照明技术则仍然存在着不少问题，如显色性的偏低等。　　 高质量的白光LED技术研究在LED的进一步取代传统灯具、成为主流产品的前进道路上显得尤为重要。现阶段，高显色性的LED，主要有利用三基色原理制造的白光LED、GaN蓝光LED加上不同荧光粉混合而成的白光LED、传统的GaN蓝光LED加上YAG荧光粉和补偿的红光而成白光LED。这几种方案中，显色性都得到相应的提高，但相对而言，也有成本较高、荧光粉转换效率不一等问题的存在。　　 本论文在InGaN蓝光芯片的基础上，构建合理的多量子阱结构，生长出，宽波长的蓝光芯片，蓝光的光功率分布谱随着注入电流的增加而变宽，从而达到提高封装出来后白光LED的显色性，封装出来的LED芯片的显色指数CRI能高达88以上。　　 同时本论文，针对封装中，常见的显色指数CRI、发光效率和色温的优化问题，编写程序进行模拟计算。所编写的程序，对一般的封装中，有助于提高封装的效率，同时，可以对一般芯片的光功率分布谱进行模拟，模拟计算出显色指数和发光效率，对外延生长中生长何种芯片能达较高显色性有一定的指导作用。　　 本轮文具体阐述了，如何模拟宽波长蓝光LED芯片的光功率密度谱，通过理论计算显色指数的如何达到最优值，同时具体阐述，如何制作宽波长蓝光LED芯片，最后如何封装成高显色性的白光LED。