【摘 要】
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该文建立了低气压壁MOCVD设备的控制系统,它包括MO源温的控制,输气管道温度的控制,混气室-反应室温度的控制,输气管道阀门的控制,气体流量的控制,以及系统压力的监测和各路电源的开关控制.整个系统可采用手动或自动控制两种方式,并可完成一套控制系统对两套反应系统的切换控制功能.利用该设备进行了TiO薄膜的试制工作,讨论了MOCVD工艺中影响薄膜质量的关键因素.最后,对TiO的结构进行了研究,X-ra
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该文建立了低气压壁MOCVD设备的控制系统,它包括MO源温的控制,输气管道温度的控制,混气室-反应室温度的控制,输气管道阀门的控制,气体流量的控制,以及系统压力的监测和各路电源的开关控制.整个系统可采用手动或自动控制两种方式,并可完成一套控制系统对两套反应系统的切换控制功能.利用该设备进行了TiO<,2>薄膜的试制工作,讨论了MOCVD工艺中影响薄膜质量的关键因素.最后,对TiO<,2>的结构进行了研究,X-ray衍射分析表明:在较低的温度下,TiO<,2>呈锐钛矿结构,高温热处理后将向金红石结构转变.
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该论文主要探索了3D可见光波段的光子晶体的制备及结构分析,首先我们用化学溶胶合成法制备了亚微米尺寸的高单分散性的SiO小球,并进行尺寸选择,进一步提高其单分散性,这为下一步的小球自组织晶化作好了基础.接着,对制备好的高单分散性的SiO小球进行自组织晶化成3维有序结构,为制备光子晶体提供了模板.同时,我们结合制备CdS等Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米颗粒的技术,制备了CdS/SiO的复合结构,并探索了由CdS/
介绍了钙钛矿结构铁电体相变特性的研究,利用等静压测试系统对掺Nb的陶瓷PbZrTiO(PZT95/5)在等静压作用后的介电特性作了细致研究,发现与温度作用的效果相反,PZT95/5在等静压作用下有由铁电相转向反铁电相的趋势,极化过的试样在1600bar时发生铁电-反铁电相变,且该相变压力随着环境温度的升高而升高;一定等静压下的介电温谱表明PZT95/5的相变温度Tc随着等静压的增加而升高,利用高温