制备高质量的ZnMgO以及ZnO/ZnMgO量子阱材料,提高其发光效率,对于实现ZnO基光电器件的应用有很重要的意义。近年来,表面等离激元作为增强材料发光的可行途径,成为人们研究的热点。本论文正是基于这一思想,以ZnMgO薄膜和ZnO/ZnMgO单量子阱为研究对象,对其光致发光性质和表面等离激元增强机理进行深入探讨。本论文的主要研究工作如下：(1)利用脉冲激光沉积方法制备一系列不同阱宽的ZnO/ZnMgO单量子阱,研究了量子约束效应随阱宽的变化规律,并进行了理论计算,发现与实验结果基本吻合；利用金属有机物化学气相沉积方法制备ZnO纳米片结构,对其光致发光性质进行研究,用多能级模型解释激子发射和绿光发射的负温度淬灭效应,并通过分析完成表面缺陷能级的指认,位于导带底以下81meV。(2)利用电子束蒸发技术生长金属薄膜,并结合快速热退火工艺,利用反浸润法制备金属Al和金属Pt的纳米颗粒,研究它们的形貌和表面等离激元特性；我们还利用标准光刻工艺制备Al金属阵列。(3)利用带边发射和Al表面等离激元的共振耦合增强ZnMgO薄膜紫外发光,研究了金属厚度与退火条件对发光增强的影响,当Al金属厚度为2nm时,实现了带边发光3.5倍的增强；经过退火处理后,金属薄膜转变成纳米颗粒,由于能量匹配与散射效应共同作用,ZnMgO薄膜的带边发光增强了4.7倍。(4)通过在ZnO/ZnMgO量子阱表面覆盖Al/Ag双层金属颗粒,利用金属表面等离激元共振耦合增强ZnO/ZnMgO单量子阱发光,通过光致发光对比分析,取得了较好的增强结果,量子阱阱层发光为原来的3倍,垒层发光为原来的6倍。