新型三元层状陶瓷材料Ti₃AlC₂以其优异性能成为近年来国内外众多材料学者研究的热点。它既具有金属的性能,有很好的导热性能和导电性能,有较低的Vickers硬度,像金属一样可进行机械加工,同时又具有陶瓷的性能,高熔点,高热稳定性和良好的抗氧化性能。这些优异性能使其具有广阔的应用前景。迄今为止,人们采用各种方法如化学气相沉积法（CVD）、自蔓延高温反应合成（SHS）、热压（HP）、热等静压（HIP）来制备Ti₃AIC₂。而采用自蔓延高温合成方法往往难以得到单相,产物中经常伴随着大量的杂质相TiC和Ti-Al金属间化合物。为此我们对燃烧合成方法制备单相Ti₃AlC₂材料进行了研究。本研究采用两个系列配比,Ti:C=3:2和Ti:C=2:1摩尔比,以Ti粉、A1粉和C粉单质为原料,采用自蔓延高温反应合成（SHS）工艺。通过调整原料的起始配比和工艺参数,寻找合成Ti₃AlC₂陶瓷材料的最佳制备方法。重点研究了不同工艺参数下和不同配比对合成Ti₃AlC₂材料的影响。应用X-射线衍射、扫描电镜结合能谱仪研究不同起始组成粉料在不同实验参数下所得产物的相组成及显微结构特征。研究结果表明,当以元素单质粉为原料时,按Ti:Al:C=2:2:1摩尔比进行配比,球料比为15:1,球磨转速120转/分钟,混料时间为4-5小时,在氩气保护的条件下进行球磨混料,在150MPa的压力压制成坯的实验参数下,Ti₃AlC₂的晶体发育良好,并且纯度很高。而当原料配比Ti:A1:C=3:x:2摩尔比例体系时,无论怎么改变工艺参数,也不能的到单相的Ti₃AIC₂陶瓷材料。在相同配比下,只有适当的球料比、球磨转速、混料时间和压坯压力时燃烧合成产物的结果相对比较理想。