等离子体增强原子层沉积低温生长InN薄膜

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【摘要】

：

氮化铟(InN)是Ⅲ族氮化物半导体材料中重要的组成部分,它具有最小的电子有效质量、最高的载流子迁移率和饱和漂移速率等,这些优异性使InN广泛应用于高效低成本太阳能电池,传感器,太赫兹发射和探测器件等。并且它的禁带宽度在0.7eV左右,这样较窄的禁带宽度使其与其它Ⅲ族氮化物形成合金,便能使发光波长从红外到深紫外范围变化。近几年,对如何生长高质量的InN薄膜的研究越来越多。最主要的工作便在于生长InN

【作者】

：

杨祺

【机构】

：

南昌大学

【发表日期】

：

2017年05期

【关键词】

：

氮化铟原子层沉积氧化锌 (002)择优取向衬底温度

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