针对目前对近紫外(n-UV)LED用白光发光材料和高发光效率纳米X射线发光材料的迫切需求,本论文进行了掺杂型硫化锌白光发光材料、X射线激发材料的合成和发光特性研究。主要工作包括：采用水热法直接合成了高发光强度的类球形ZnS:Cu,Al纳米荧光粉。制备的纳米晶为纯立方相结构,其粒子尺寸约为15nm,且分散性较好。系统研究了在343nm激发下,不同摩尔比的ns/nZn、nCu/nAl及表面活性剂对清洗样品和未清洗样品的光致发光(PL)光谱的影响。实验结果表明,激活剂浓度不变而改变ns/nZn摩尔比时发光强度显著增强,同时未清洗样品的PL强度均比清洗样品的强,且未清洗样品的PL强度增强的比值在低的ns/nZn时更显著。另外,PL强度还与是否添加表面活性剂有关,说明其PL强度与纳米材料的表面态有很大的关系。在我们的实验中,用343nm紫外光激发时,nCu/nZn, ns/nZn, nCu/nAl分别为0.0003,3和0.5时未清洗样品的发光最强,此时于室内照明条件下可观察到明亮的绿光。借助X射线能谱(EDX)和原子吸收光谱仪,研究了样品中S，Zn和Cu的含量并详细研究了在ns/nZn=3时改变nCu/nZn,nCu/nAl摩尔比对ZnS:Cu,Al样品在375nm紫外光激发下PL光谱的特性。结果证明存在大量Zn空缺,Cu离子经过水热处理后已掺入到ZnS基体中。PL光谱特性为：样品的激发谱为宽带谱,利用370-410nm之间任意波长的光激发时,发射谱均为宽带谱,且它们基本重合。表明此材料作为近紫外(370-410nm)发光二极管·[(n)-UV(370-410nm)LED)用荧光粉及全色荧光粉具有很大的应用潜力。样品在375nm激发下全色宽带发射谱是460,510和576nm带光谱的高斯叠加。当nCu/nZn,nCu/nAl分别为3×10-4和2时,于室内照明条件下肉眼可观察到白色发光。采用低温水热法结合热处理工艺成功制备了ZnS:Cu,Al、ZnS:Au,Cu和ZnS:Cu,Tm三种超细X射线发光粉材料。研究结果表明：1)水热法直接制备的ZnS:Cu,Al的PL和X射线激发发光(XEL)光谱均为宽带谱,在nCu/nZn,nCn/nAl分别为3×10-4和0.5时PL和XEL光谱强度最大,XEL峰值在470nm处。在此条件下,水热处理3h直接合成的纳米晶在氩气保护下于800℃退火1h后样品的XEL发光进一步增强。XEL光谱强度约是退火前样品的8倍,此时峰值波长在520nm,团聚后粒径为200-500nm的类球形六方相结构。发光强度增强,但粒径很小,对提高成像系统分辨率非常有意义。通过比较样品的XEL和PL光谱,讨论了XEL和PL光谱的发光机理和激发机制及退火对其特性的影响；2)水热法直接制备的ZnS:Au,Cu的PL和XEL光谱均为宽带谱,在nCu/nZn,nCu/nAl分别为3×10-5和0.5时PL和XEL光谱强度最大,XEL峰值在459nm处。在此条件下,水热处理12h直接合成的纳米晶在氩气保护下于1000℃退火1h后样品的XEL发光最强,此时其两个峰值分别位于445和513nm,且与未退火前相比XEL强度增强了10倍左右。团聚后尺寸为1-2μm的类球形六方相结构。另外,在未经退火的ZnS:Cu,Al和ZnS:Au,Cu纳米材料中,均观察到随着Cu2+离子摩尔比的增大,XEL光谱峰值的红移现象;3)通过研究水热处理时间对ZnS:Cu,Tm纳米晶的结构、形貌、XEL光谱的影响,发现随着水热处理时间的延长,样品的尺寸增大且结晶性增强,但是其XEL发光强度却降低。分析认为这一异常现象可归因于表面态的影响。因此,水热合成ZnS:Cu,Tm纳米晶的反应时间不宜过长,最佳时间为12小时。ZnS:Cu,Tm在nCu/nZn,nCu/nTm分别为3×10-4和0.5时PL和XEL光谱强度最大,900℃为最佳退火温度,此时所得样品的粒子尺寸为200～600nm的类球形六方相结构,且与未退火前相比XEL发光增强了11倍,其两个发射峰值分别位于453nm和525nm。