碳化硅（SiC）器件具有禁带宽度宽、击穿电场高和热导率好等优点,尤其适用于高温、高压和大功率等工况。近年来,随着新能源汽车、航天航空和人工智能等技术领域的迅速发展,行业中对半导体器件的性能要求也随之提高,SiC基功率器件逐渐得到广泛的应用。随着电力电子技术的发展,在对器件性能提出更高要求的同时,对其可靠性要求也在不断提高。根据阿伦尼斯模型,当半导体器件结温每上升10℃,其寿命大概下降一半,因此结温是影响半导体器件可靠性的关键。由于SiC材料的栅氧生长缺陷较多,其电参数在栅极开关前后重复性不好,导致现有的热阻、结温检测设备（如PHASE11或T3等）无法对SiC MOSFET（碳化硅金属氧化物场效应晶体管,SiC Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）器件及模块的结温进行准确测量。本文以SiC MOSFET为研究对象,主要基于电学法研究了SiC MOSFET的分立器件和模块的结温测量方法,并进行了SiC MOSFET功率循环在线测温实验平台的设计及搭建。本文主要完成了以下研究内容:一、研究了SiC MOSFET分立器件结温测量方法。选取电学法作为结温测量方法,通过对其结构及界面态陷阱对电参数影响的研究,找到最合适的温敏电参数。由于SiC与Si O2界面存在的界面态陷阱会使电参数漂移,从而使得电学法测温不准。因此,研究了陷阱对部分电参数的影响,探索研究了避免陷阱影响的温敏电参数,以SiC MOSFET源-漏极寄生体二极管电压降VSD作为温敏电参数,并研究了其重复性、稳定性及温敏性。二、研究了SiC MOSFET模块的结温测量方法。选取电学法作为结温测量方法,分别以SiC MOSFET的寄生体二极管电压降VSD和导通压降VDS作为两种不同内部结构的SiC MOSFET模块结温测量的温敏电参数。由于SiC MOSFET模块也存在界面态陷阱,因此,研究了陷阱对温敏电参数的影响和参数的重复性稳定性,以及如何屏蔽陷阱保证温敏电参数结温测量的准确性。三、研究了SiC MOSFET功率循环实验在线测温,并尝试实验平台的搭建。依次进行平台设计方案的制定、功率循环过程中升温过程和降温过程校温曲线库的建立、软件设计和功率循环平台的电路设计及PCB制作。其中,选取大电流下的导通压降VDS和小电流下的寄生体二极管导通压降VSD作为实时结温测量的温敏电参数,从而实现功率循环全过程的在线测温,并通过软硬件协同控制实现SiC MOSFET功率循环实验在线测温。