脉冲功率源在高功率微波领域中日益广泛的应用推动了脉冲功率源朝着紧凑化、小型化、高重复频率的方向发展。其中开关的性能直接影响着脉冲功率源的输出质量,半导体开关由于其优越的性能使之替代传统开关成为了趋势。半导体器件中绝缘栅双极型晶体管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)具有通流能力高、导通电阻低等优点,在多个领域内发挥着重要作用。由于单个IGBT的额定电压、电流较小,所以应用于脉冲功率源时需将IGBT进行串并联,以获得更大的输出脉冲能量与功率。本文在深入的理论研究基础上,从单个IGBT工作性能入手,设计了IGBT串并联阵列,并通过实验进行了验证分析。本文首先介绍了脉冲功率源的研究背景,调研了基于IGBT的脉冲功率源的发展现状以及IGBT串并联模块的研究历程。阐释了IGBT基本的工作原理、特性,给出了IGBT串并联模块需要解决的问题及其产生原因。在分析IGBT导通机理的基础上,论文探究了IGBT快速驱动策略,详细阐述了驱动电路的设计方案,设计了基于平面变压器的快速驱动电路,并开展了一系列的实验研究,证明该驱动方案的可行性、可靠性及稳定性,并依托该实验平台,完成了IGBT的选型工作。实验中,单管IGBT可以工作于1kV电压下,通过电流470A,电流上升率可以达到9.41A/ns。在此工作环境中,开关延时130ns,抖动约340ps,电路在100Hz的频率下可以保证稳定工作至少10~7次。经验证,该方案可以用于IGBT串并联阵列。最后,文章对串并联开关阵列的结构进行了优化设计,将单个IGBT的驱动策略应用于串并联模块,首次设计了开关阵列快速驱动电路。设计方案解决了阵列的驱动以及均压、均流等问题,使阵列达到了耐压5kV,通流1.2kA的指标。此外,模块的体积控制在135mm×125mm×35mm,这将极大地缩小脉冲功率源系统整体的体积。