高线性低相噪压控振荡器电路设计

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近年来,随着无线通讯技术的迅猛发展,CMOS射频集成电路和片上系统(SOC, System On Chip)的研究与应用已成为目前电子设计的主流技术。CMOS压控振荡器由于具有频率可控的优点,已成为无线通信系统中锁相环(PLL, Phase Locked Loop1电路的一个重要组成部分。而环形压控振荡器由于具有高线性、宽调谐、易集成、结构简单等优点而被广泛使用,其主要原因在于压控振荡器可以提供稳定的本振信号和电路所需的高频时钟信号,而电路的功耗、调节范围和相位噪声等指标均已成为近些年压控振荡器领域的研究热点内容。在国内外VCO(Voltage Control Oscillator)的研究现状的基础上,本文从振荡器的基本原理和实现方式出发,针对振荡器的系统理论模型和压控特性进行分析,分别阐述了LC振荡器和环形振荡器的基本架构。同时,本文主要针对振荡器电路的相位噪声特性进行建模分析和简要说明。在此基础上,重点分析了不同方式实现的压控单端延迟单元和差分延迟电路,并提出了一种具有高线性度、低相位噪声的压控振荡器电路方案。本文提出的压控振荡器电路采用TSMC 0.35μm CMOS工艺实现,基于Cadence平台实现电路的仿真验证,在Virtuoso下完成电路版图的绘制,并进行后仿真验证。其后仿真验证结果表明,在27℃下,振荡器输出频率的可调谐范围约为44MHz~163MHz(@1.0V~1.8V)。当频率约为104MHz时,在100kHz频偏处的相位噪声为-99.12dBc/Hz,在1MHz频偏处的相位噪声为-128.3dBc/Hz。
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