近年来,CdZnTe薄膜探测器由于制备简单、厚度小、成本低、质量轻,还可以制备成大尺寸、多层和多功能叠层结构,愈来愈引起人们的广泛关注。本文提出CdZnTe场效应晶体管薄膜探测器的制备与研究,旨在通过改变CdZnTe薄膜探测器的结构,解决CdZnTe薄膜探测发展所面临的瓶颈问题。本文采用磁控溅射的方法制备底栅极顶接触型结构的CdZnTe场效应晶体管薄膜探测器,CdZnTe薄膜及晶体管的性能分析采用台阶仪、X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、半导体参数分析测试仪(KEITHLEY 4200-SCS)等测试分析设备。探索了 CdZnTe场效应晶体管薄膜探测器制备工艺及工艺参数对CdZnTe场效应晶体管薄膜探测器性能的影响。研究结果表明:在溅射功率为80W、溅射压强为1.5Pa、溅射时间为60min、Ar气流量为15.Osccm的条件下制备的以SiO2为衬底的CdZnTe薄膜性能较好,适用于做有源层。SiO2绝缘层厚度为330nm,CdZnTe薄膜的粗糙度越小、电阻率越大,厚度为1944nm左右,其CdZnTe薄膜晶体管的性能越好。Au电极与Cu电极对比,Cu电极更加有利于CdZnTe薄膜晶体管载流子的注入与传输。CdZnTe薄膜晶体管的光电效应良好,且对于CdZnTe薄膜探测器,工作电压越小感应将会越灵敏。