稀土钡铜氧REBa₂Cu₃O_7-δ（RE为稀土元素,REBCO）高温超导体由于具有很高的不可逆场(H_irr)和在高磁场下较高的临界电流密度（J_c）,具有很好的应用前景。为了满足强磁场领域应用的需要,如何提高磁场下的超导输运性能仍是个急需解决的问题,人工磁通钉扎中心的引入是解决这一难题最为行之有效的方法。为此,本文采用脉冲激光沉积（PLD）方法制备Ba Hf O₃（BHO）掺杂的Y_0.5Gd_0.5Ba₂Cu₃O_7-x（YGBCO）超导薄膜。首先研究了BHO的掺杂浓度对YGBCO薄膜的结构以及性能的影响,然后通过种子层技术进一步改善BHO掺杂的超导薄膜的性能。（1）BHO掺杂浓度对YGBCO超导层的影响利用PLD技术在IBAD-Mg O基带上制备了不同BHO掺杂浓度的Y0.5Gd0.5Ba2Cu3O7-x（YGBCO）薄膜,掺杂浓度分别为1 mol%,3 mol%,5 mol%和10 mol%,并与不掺杂的样品做比较。根据X射线衍射（XRD）结果,掺杂和未掺杂样品都显示出纯c轴取向,晶粒结构显示出高度一致性。然而根据扫描电子显微镜（SEM）的结果,薄膜的表面形貌和结晶质量随着BHO浓度的增加而恶化。与不掺杂样品相比,掺杂薄膜的临界转变温度T_c和77 K,自场下的临界电流密度J_c^77,sf都有不同程度的降低,但是5 mol%掺杂的YGBCO薄膜在磁场下显示出巨大的优越性,J_c值得到很大的提高,最大钉扎力密度F_p在4.2 K和65 K时分别达到577.6 GN/m³和11.7 GN/m³（H//c）,大约是不掺杂样品的1.5倍。因此我们得到BHO掺杂YGBCO的最优掺杂比例是5 mol%。（2）种子层技术改进BHO掺杂YGBCO超导薄膜的性能我们基于5mol%的最优掺杂浓度,引入种子层技术,在超导层与Ce O₂缓冲层间插入不同厚度（1 nm和2 nm）和化学成分（5 mol%BHO掺杂的YGBCO和纯的YGBCO）的种子层,且与无种子层的样品进行对比。XRD结果表明,所有的样品都具有良好的c轴取向并且种子层厚度为2 nm的样品内部几乎无应力的存在。SEM结果显示,种子层厚度越大,表面粗糙度越高。所有有种子层的样品的J_c^77,sf都比无种子层的样品高,即种子层的引入提高了薄膜在77 K,自场下的临界电流密度。值得一提的是,种子层的最优厚度为2 nm,与Ce O₂缓冲层的粗糙度相当（RMS=1.87 nm）。并且,以自身为种子层的样品比以纯的YGBCO为种子层的样品具有更好的效果,可以更为有效地提高表面质量,改善结晶度和超导性能。在4.2 K温度下,2 nm厚自身种子层的样品F_p高达860 GN/m³（9 T,B//c）并且没有出现最大F_p的峰。