含N<'∧>N结构磷光金属配合物的研制及其电致发光性能研究

来源 :中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 被引量 : 0次 | 上传用户:suitky
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
有机磷光材料在电致发光(EL)器件效率上呈现出巨大的优势,对其研究自然也成为有机电致发光领域的一大热点。Re(Ⅰ)配合物具有高的室温量子效率、相对较短的激发态寿命、良好的热稳定性、化学稳定性和光化学稳定性等优点,对它们的发光机理及性能的研究可以加深对电致发光的认识和开发新型高效电致发光材料。具有窄发射谱带、高色纯度的稀土铕配合物被认为是实现高效红色电致发光的首选材料。虽然目前基于稀土材料的电致发光器件在性能上远远不及过渡金属配合物的电致发光性能,但是人们还是对稀土配合物在有机电致发光中的应用寄予厚望。本论文以Re(Ⅰ)配合物磷光材料及稀土铕配合物在OLED领域的应用为工作出发点,具体工作如下:   1、具有平面刚性结构的1,10-邻菲哕啉在配位化学中占有重要的地位。我们以1,10-邻菲哕啉为母体,合成出了2,3-苊基吡嗪-[2,3-f][1,10]-邻菲罗啉(APPP)和2,3-二(4-氟苯基)吡嗪-[2,3-f][1,10]-邻菲罗啉(BFPP),并利用它们以及具有良好电子传输和激子阻挡能力的2,9-二甲基-4,7二苯基-1,10-邻菲哕啉(DDPA)合成了三个未见报道的新型Re(Ⅰ)配合物。考察了共轭体系的大小、取代基的位置等对其发光性能的影响。基于Re-DDPA的磷光器件最大效率和亮度分别达到21.8cd/A、8315cd/m2。这是目前已见报道的Re(Ⅰ)配合物电致发器件中的最好结果。   2、设计、合成了电子传输性能良好的4,5-叠氮芴类偶氮配体:4,5-叠氮芴(DF)和9,9-二-(4-乙氧基苯基)-9-H-4,5-叠氮芴(EPDF),利用它们作为偶氮配体合成了两个新型发绿光的Re(Ⅰ)配合物:Re-DF和Re-EPDF。基于Re-DF和Re-EPDF掺杂器件的最大效率和亮度分别为:20.7cd/A、13.5cd/A和2506cd/m2、3208 cd/m2。其中基于20%Re-EPDF的掺杂器件,其效率仍然高达13.2cd/A。   3、设计并合成了一个双核Re(Ⅰ)配合物Re(DF)(CO)3Br]2,并利用其作为掺杂剂,采用真空蒸镀的方法,制备了高效电致磷光器件,系统地调查了它的EL性质。其最大效率和亮度分别为8.2cd/A,2026cd/m2。   4、以DBM为第一配体,筛选BFPP,DF和EPDF为第二配体,合成了稀土铕配合物Eu(DBM)3(BFPP)、Eu(DBM)3(DF)和Eu(DBM)3(EPDF)。并以它们作为掺杂剂制备了多层掺杂器件,考察了它们的电致发光性能。
其他文献
托卡马克装置是人们进行磁约束聚变实验研究的装置,其中激光汤姆逊散射诊断测量等离子体电子温度和密度是磁约束聚变实验中普遍认同和采用的一个诊断方法,具有很高的时间和空间
近年来,量子系统的相干操控获得了广泛的关注。基于激光冷却与俘获技术制备的单原子是一个理想的量子系统,在此系统上可以实现触发式单光子源,而单光子源不仅是量子保密通信和线
略读课文教学追求“教略”而“学丰”的境界。叶圣陶先生对此有过说明,“略读的略字,一半就教师的指导而言,只须提纲挈领地指导;一半就学生的功夫而言,还是要像精读那样仔细咬嚼”
本论文从理论和实验两个方面研究了两束飞秒激光作用下,线性分子的非绝热转动激发形成的转动波包中转动态布居与两束激光延时之间的关系。全文主要分为三个部分:第一部分对分子
本论文的主要研究对象是超出粒子物理标准模型的新物理模型的构造及唯象学,包括超对称以及左右手模型。超对称的引入可以解决标准模型中的规范等级问题,而左右手模型则可以自然
大气压低温等离子体是当前研究的热门课题,其中对大气压低温等离子体的诊断是普遍面临的难题。本文分析一种新型的大气压射流冷等离子体的放电特性,对大气压低温等离子体的诊断
激光技术的发展不但对社会生产产生了深远的影响,而且对科学研究起到了巨大的推动作用。尤其是近年来超强超短激光脉冲的出现,为人类探索微观世界的科学规律提供了强有力的工具
超快、超强飞秒激光技术的发展极大地推动了原子分子物理研究的进程,原子分子强场物理目前已经成为原子分子物理研究最重要的领域之一。飞秒激光由于其超快超强的特性,也正成为
在油田生产中,对油井套管进行准确的成像检测对于保障油井安全、提高油气采收率都具有重要的意义。传统的井下套管检测局限于下井仪器周向的测量,若遇到变形严重的套管或井下落
学位
四十多年来,微电子工业呈现爆炸性发展,硅基集成电路的集成度一直按照摩尔定律增长,以满足不断提高的技术要求。为保持较高的栅极电容,SiO2栅介质层厚度也相应减薄,传统的SiO2栅介