氧化锌（ZnO）是一种直接宽带隙半导体材料，其室温禁带宽度为3.37 eV，激了束缚能高达60 meV，使其能在室温或更高温度下稳定存在，因而成为制备半导体激光器（LDs）、发光二极管（LEDs）的理想材料。研究表明，ZnO纳米结构丰富，在未来纳米光电子器件和纳米电子器件领域具有巨人的应用前景。例如，ZnO纳米结构可用于场发射、医疗、生物传感等领域，ZnO透明导电薄膜也被认为是未来取代平板显示器中ITO薄膜的候选材料之一。因此，ZnO透明导电薄膜的制备和性能具有较大的研究意义。　　 本论文首先采用脉冲激光沉积（PLD）技术在Si（111）衬底上制备了晶体质量优异的ZnO薄膜，研究了缓冲层、氧气压强、激光脉冲能量、退火气氛、退火温度、退火时间等工艺参数对薄膜质量的影响，对这些工艺参数进行了优化。同时，对ZnO的显微结构、电学及光学性能进行了系统研究，并将其它薄膜制备方法与PLD技术进行比较，探讨了这些方法的优缺点。　　 此外，本论文对氧化锌镓（GZO）复合靶材的制备和性能进行了研究。以纯度均为99.99％的ZnO粉末和Ga2O3粉体为原料，依次通过模压成型+烧结工艺，研究了Ga含量（Ga/Zn原子比分别为2％、4％、6％、8％）和制备工艺对GZO靶材性能的影响。在此基础上，以该复合靶材为溅射靶材，采用PLD技术生长了GZO复合薄膜，比较了靶材中的Ga含量对薄膜的晶体结构与光电性能的影响。结果表明，所制备的GZO薄膜沿[002]方向择优生长，最佳电阻率为4.335×10-4Ω·cm，可见光透过率均在80％以上。