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氮化镓(GaN)纳米材料具有宽带隙,高热导率,稳定的化学性质,较大的饱和电子漂移速度等优良特点,它是Ⅲ-Ⅴ族半导体的代表。这些优良的特点使GaN纳米材料可以广泛的应用于高亮度LED、蓝光激光器、紫外探测器、大功率耐热器件。此外,由于非极性GaN材料可以消除压电极化氮化物发光器件辐射复合效率和发射波长蓝移。制备非极性氮化镓材料,氮化镓材料,已经成为一个新的研究重点。本论文采用化学气相沉积法(CVD),在硅(Si)和蓝宝石(Al2O3)衬底上制备了一维GaN纳米线,系统研究了GaN纳米线的生长机