Ⅲ-Ⅴ族半导体InAs是窄带隙半导体，具有很高的电子迁移率和较小的电子有效质量。InAs的这些优势使得它有希望替代Si而成为制备更快速度和更小尺寸晶体管的材料。现在已经有许多成功的工作表明，利用InAs纳米线可以制备出高性能、高电子迁移率的晶体管，包括高频电子器件和立式环栅器件等。但是，InAs纳米线表面有一层表面电子富集层以及丰富的表面态，使得它对气体和吸附分子非常敏感。目前，对InAs纳米线气敏特性的研究还不很多，且不同文献中的结果有不一致。另外，InAs纳米线放置在空气中很快会被氧化，所以，对InAs纳米线表面进行氧化层去除和钝化处理，并进一步封装处理是十分必要的。化学溶液去除氧化层的方法有一些弊端，然而用原子层沉积(ALD)生长高k介质Al2O3可以防止纳米线受到外界环境的影响，Al2O3的生长过程还可以对表面的氧化层起到一定的清洁作用，而且高质量的高k栅介质与半导体的界面对提升器件性能至关重要。　　本论文中，首先制备了沟道未经处理的InAs纳米线平面器件，研究了大气环境对其电学性能的影响，并对作用机制进行了分析，发现大气中的NO2和H2O对器件的电学性能影响最大;另外，利用CV测量对ALD生长的Al2O3的质量进行了表征，进而探索了不同退火条件对Al2O3质量的影响，再将优化的退火条件应用到器件中;制备了Al2O3作为栅介质的InAs纳米线平面顶栅器件，表征了退火前后器件的电学性能，发现退火后器件性能有较大幅度的提升;最后，结合透射电镜表征手段，探索了利用退火来清除纳米线表面的非晶氧化层的效果。