铬酸镧材料因其良好的电性能和高温稳定性,目前在很多方面有着广泛的应用。但铬酸镧的烧结温度较高,且在烧结过程中铬的挥发,更是增加了铬酸镧材料致密化的难度,使其很难制备。近些年,一种名为“闪烧”的技术被提出,且运用在各个领域的材料中。闪烧具有致密化速率快,烧结温度低,保温时间短等特点,本文以运用闪烧技术制备致密铬酸镧陶瓷为目的,探索闪烧机理,并研究闪烧过程中各参数对闪烧点的影响。用固相法和溶胶-凝胶法制备合成铬酸镧粉体,探讨其在不同电场强度下的闪烧行为,在电场强度25 V/cm下通过改变电流密度或保温时间分析其对闪烧样品微观结构的影响。实验表明,电场强度由15 V/cm提高到35 V/cm后,样品闪烧点从316 ℃下降到141 ℃。选取电场强度25 V/cm条件,将电流密度由100 A/cm~2提升到140 A/cm~2或者将闪烧阶段的保温时间由10s增加到300s,铬酸镧材料的致密化程度提高,晶粒尺寸明显增长。此外,采用恒压增流的方式制备20~*3~*2mm的试样,将闪烧样品的性能与传统烧结材料进行对比。前者获得的铬酸镧陶瓷不仅在电导率,硬度和相对密度等方面优于传统烧结所制备的铬酸镧陶瓷,且能很好的避免Cr元素的挥发。由于闪烧过程中试样实际温度较高很难进行精准测量。本文基于焦耳热效应,采用黑体辐射理论模型对样品温度进行了估算,试样温度远高于炉体温度,且电场强度较高时功率损耗增大,试样平均温度也相对较高。此外,对不同电场强度下样品升温速率进行估算,其数值在10~2-10~4℃/min,快速的加热速率抑制了晶粒的生长并增加了致密化的驱动力,是能够在短时间实现致密化的可能原因。在研究闪烧行为的基础上,通过改变初始导电能力以及电场强度,探索闪烧发生的诱因。通过制备不同Ca掺杂量来改变样品的初始导电能力以及不同电场强度下进行实验,获得相应条件下的闪烧点,分析初始导电能力以及电场强度对闪烧点的影响。