Ag（Nb,Ta）O₃是一类高频高介的陶瓷材料,但是该材料在铌含量较高时,温度系数和损耗较大;而钽含量较高时,难以烧结成瓷。本论文通过优化合成工艺路线得到了性能优良的Ag（Nb,Ta）O₃固溶体,然后通过B位Nb/Ta比及非化学计量比、相似离子对A位Ag⁺离子或B位Nb⁵⁺/Ta⁵⁺离子取代以及添加助剂对其结构、微观形貌及介电性能的影响,揭示了一些ANT改性的基本规律,得到了可低温度烧结、介电性能优异的Ag（Nb,Ta）O₃基陶瓷材料。最后,进行了非常规合成法,如半化学法、晶种法等,制备Ag（Nb,Ta）O₃的尝试。结果表明,将Nb2O5、Ta2O5经高温（1200℃）煅烧,然后加入相应量的Ag₂O,再经950℃预烧的工艺为制备Ag（Nb,Ta）O₃陶瓷的最佳工艺。随Ta含量（x）的增加,Ag（Nb1-xTax）O₃的烧结温度越来越高;介电常数（ε）先增大后减小（x=0.4时,有εmax=516.8）,介电损耗（tanδ）单调减小,温度系数（αε）向负的方向移动。B位（Nb,Ta）少量缺位可以促进ANT烧结;而（Nb,Ta）过量会导致ANT样品半导化。与Ag+半径相近、价态相同的Na+离子的A位取代对Ag(Nb_0.8Ta_0.2)O₃介电性能的改善效果最佳,当Na+离子取代量x=0.1时,Ag1-xNax(Nb_0.8Ta_0.2)O₃有εmax值558.5,tanδmin值0.0017。与Nb⁵⁺/Ta⁵⁺离子半径相近、价态相同的适量Sb（x≤0.08）和Mn4+、W6+复合（x≤0.16）取代B位Nb⁵⁺/Ta⁵⁺离子,可以有效降低Ag(Nb_0.8Ta_0.2)O₃烧结温度,增大介电常数ε,减小介电损耗tanδ,Sb取代还可以明显减小温度系数;于1040℃烧结的Ag（Nb,Ta）1-xSbxO₃（x=0.08）样品有最佳介电性能:ε=982.4,tanδ≈0.0031,αε=163.1ppm/℃;Ag(Nb_0.8Ta_0.2)1-x（Mn,W）xO₃ （x=0.04, 0.08, 0.12, 0.16）样品的介电损耗值十分相近,在0.00156⁰.00179范围内,说明少量（Mn,W）复合取代就可以减小Ag(Nb_0.8Ta_0.2)O₃的损耗值。低熔点助剂的添加均可以通过液相烧结作用促进ANT烧结,Sb2O5和Bi2O₃的作用最明显,使ANT的损耗明显减小,介电常数增大,温度系数近于零;由于稀土元素（Y、Ce、Dy和Gd）的4f电子受到5s²5p⁶壳层的屏蔽,稀土元素掺杂对ANT介电性能无明显影响。由于Ag⁺离子强的还原性,水热法和熔盐法难以制备出符合化学计量比的ANT,而半化学法、晶种法可以改善ANT的烧结和介电性能。