本文采用三种不同的分步法将磁性纳米粒子（四氧化三铁,Fe₃O₄）负载到自制羟基磷灰石晶须（HAw）表面,成功制备出纳米磁体修饰的羟基磷灰石晶须,并借助磁场诱导注浆成型技术构建了类釉质有序结构羟基磷灰石晶须材料。借助粉末X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、傅里叶变换红外光谱仪（FTIR）、透射电子显微（TEM）、接触角测量仪、光电子能谱仪（XPS）、热重分析（TG）、磁力仪、纳米压痕仪、CCK-8实验等检测手段,系统的研究了HAw、纳米磁体修饰的羟基磷灰石晶须和类釉质有序结构羟基磷灰石晶须材料的理化性能、形成机理及短期毒性。结果表明,均相沉淀法制备的HAw为羟基磷灰石单晶。三种不同的分步法都可以成功的将四氧化三铁（Fe₃O₄）纳米粒子负载到HAw表面,制备出纳米磁体修饰的羟基磷灰石晶须。不同分步法所制备的纳米磁体修饰的羟基磷灰石晶须在室温下都具备超顺磁性,且具有良好的磁响应特性。分步法二和分步法三所制备的纳米磁体修饰羟基磷灰石晶须具有良好的抗氧化性,分步法一所制备纳米磁体修饰羟基磷灰石晶须容易发生氧化。采用分步法一和分步法二所制备的纳米磁体修饰的羟基磷灰石晶须,与HAw相比其在长度上明显减小,约为20～30μm,而分步法三所制备的磁化HAw的长度为50～60μm,与原始HAw相接近。采用纳米磁体修饰羟基磷灰石晶须作为基本单元用于类釉质有序结构的构建。CCK-8实验结果表明HAw和纳米磁体修饰的羟基磷灰石晶须不具有细胞毒性。本文研究结果显示,磁场诱导注浆成型技术是制备类釉质有序结构的一种可行方法。采用本文的磁场诱导注浆成型技术,可制备出具有类釉质有序结构的羟基磷灰石晶须材料。CCK-8实验结果表明类釉质有序结构材料不具有细胞毒性。