本论文通过直流脉冲磁控溅射法将无择优和(100)择优的ITO薄膜沉积在石英片及Si(100)晶片表面,同时,将无择优和(100)择优的ITO薄膜应变计沉积在覆盖有Si02绝缘膜的不锈钢等强度悬臂梁表面,并用X射线衍射仪、霍尔效应仪、静态电阻应变仪等设备对ITO薄膜和ITO薄膜应变计进行表征和研究。具体研究内容如下:对无择优和(100)择优的ITO薄膜和ITO薄膜应变计连续进行25次温度循环,温度范围为20-200-20℃。经过25次温度循环之后,无择优的ITO薄膜的载流子迁移率和载流子浓度分别降低(15.4±3.3)%和(38.1±1.7)%,综合导致无择优的ITO薄膜的电阻率增加(90.7±6.4)%。因此,无择优的ITO薄膜应变计的电阻值随着温度循环次数的增加而单调增加。相反,经过每次温度循环之后,具有(100)择优的ITO薄膜的载流子迁移率和载流子浓度没有变化,因此,具有(100)择优的ITO薄膜的电阻率和ITO薄膜应变计的电阻值也没有变化。综合上述结果表明,无择优的ITO薄膜应变计显示出令人不满意的温度稳定性,(100)择优的ITO薄膜应变计显示出令人满意的温度稳定性。在实际应用中,薄膜应变计常工作于室温-200℃的温度范围,而应变系数是表征其对应力的反应能力。因此,研究变温工作状态下的薄膜应变计的应变系数亦显得尤为重要。在20-200-20℃的温度循环下,对无择优和(100)择优的ITO薄膜应变计进行应变测试。结果显示,无择优的ITO薄膜应变计的应变系数大,但在升降温过程中,其应变系数差别大;具有(100)择优的ITO薄膜应变计的应变系数小,但在升降温过程中,其应变系数差别小。综合上述结果表明,无择优的ITO薄膜应变计感应微小形变的能力强,而(100)择优的ITO薄膜应变计感应微小形变的能力弱。