【摘 要】
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该文在系统总结和全面分析PZT铁电薄、厚膜研究现状的基础上,深入研究了PZT铁电薄、厚膜材料的Sol-Gel制备技术,系统地研究了Sol-Gel工艺条件对材料的微观结构和电性能的影响
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该文在系统总结和全面分析PZT铁电薄、厚膜研究现状的基础上,深入研究了PZT铁电薄、厚膜材料的Sol-Gel制备技术,系统地研究了Sol-Gel工艺条件对材料的微观结构和电性能的影响.对PZT厚膜铁电声纳换能器的结构进行了设计,并探索了其制作工艺,为高性能PZT厚膜声纳换能器的开发与应用奠定了良好的基础.PZT铁电薄膜采用改进的Sol-Gel法制备.采用改进的Sol-Gel工艺,制备出结晶良好、化学组成精确、颗粒分散性好、粒径约为20~30nm的PZT超细粉.研究了Sol-Gel法制备RZT陶瓷超细粉的热处理温度和保温时间对粉末的结晶、粉体形貌及粒径的影响.PZT铁电厚膜采用新型Sol-Gel法制备.研究了制备0-3型PZT厚膜材料的新型Sol-Gel技术和其工艺条件对PZT厚膜的微观结构及电性能的影响,并探讨了PZT厚膜生长与厚膜致密性机理.设计了8×8元阵列PZT厚膜声纳换能器芯片结构.
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