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芯片的ESD(ELECTRO STATIC DISCHARGE，静电放电)现象不是个新鲜事情,但是它的破坏力却是很大的,尤其是RF工D(RADI0 FREQUENCY IDENTIFICATION,射频识别)的卡片产品,在加工模块和卡片的过程中,会产生极其强大的静电,而且通用市场的加工厂参差不齐,因此对芯片的ESD能力提出很高的要求,本文通过分析解决本公司RFID产品的ESD失效具体问题,目的是优化当前RFID产品的抗ESD能力,降低产品加工过程和应用过程中的失效率,提高产品性能,提升跟国际同类产品竞争力。在目前国内0.18um RFID产品的EEPROM工艺还不是很成熟的情况下,本文通过分析解决一种RFID EEPROM读出检查失效的具体问题,目的是优化当前0.18umEEPROM RFID产品相关加工工艺。本文通过采用数据分析、失效定位、实施改进、效果验证的方法,进行了大量失效分析、实验与验证,充分地分析了新产品造成加工失效率低的根本原因。最终确定了由于各种模式的ESD能力不足造成RF电路一些器件被破坏或者漏电,导致电路不工作或者性能降低,使得产品加工成品率不能满足客户的要求；同时分析了新产品EEPROM良率低、棋盘格读出检查失效所发生的根本原因。最终确定了圆片加工过程中,由于POLY1干法刻蚀过量导致栅氧化层不同程度的受损、漏电,漏电导致EEPROM选通管常失去选通作用；失去了选通作用的Cell单元,当其BIT逻辑为“1”,此BIT所在的整条位线的漏电会很大,使得整条位线上的其它BIT在读出检查时全被判读为“1”,表现出EEPROM棋盘格读出检查失效的现象。在ESD问题的分析与解决过程中,通过优化芯片设计：在易失效关键器件的附近增加保护电路；通过调整圆片加工工艺：在保护电路器件的DRAIN端增加PWELL(P阱)注入,增强保护电路泻流能力,实现了新品的高良率生产。在EEPROM问题的解决过程中,通过调整圆片加工工艺：优化POLY1(多晶1)的蚀刻工艺、增大选通管的选择栅Polyl(多晶1)的条宽,增加多晶刻蚀后对栅氧化层的快速热处理等措施,最终解决了EEPROM棋盘格读出检查失效的问题,实现了新品WAFER的高良率生产。