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Al-Mg合金具有密度轻,单位体积的热含量高,比强度和比刚度高,耐腐蚀性强等优点,是一种优良的轻质金属材料。在高能物理研究领域中,Al-Mg合金占有重要地位。Z箍缩(Z-pinch)驱动的激光惯性约束聚变(ICF)中,常用的丝阵负载为直径在10μm以下的超细W丝阵列,能够获得很高的X射线发射功率与产额,但要满足Z-pinch驱动的ICF的要求,X射线的发射功率和产额仍需要大幅度地提高。在超细W丝表面覆盖一层Al-Mg合金薄膜,用以获得更为理想的X射线收益。本文选择低温无机熔盐AlCl3-NaCl-KCl-MgCl2体系,首先在铜基底上进行Al-Mg合金薄膜电沉积制备工艺的初步研究,然后在钨基底和超细钨丝表面进行Al-Mg合金薄膜的制备,并探索氯化胆碱-尿素离子液体体系中Al-Mg合金制备的可行性。通过研究沉积电压、沉积时间、沉积温度以及电解质浓度对Al-Mg合金形貌和Mg含量的影响,确定了在铜基底上电沉积Al-Mg合金的较为适宜的工艺条件:熔盐体系组成为质量比AlCl3:Na Cl:KCl=78:11:11,MgCl2的质量分数2.5~4%,电压1.22~1.35V,电沉积温度200~220℃,电沉积时间20~45min,获得的Al-Mg合金镀层中Mg含量最高可达9.55At%。钨基底上进行Al-Mg合金电沉积,低Mg含量时,合金组成为固溶体(α相),随着Mg含量的增加,非晶态的α相逐渐增多,Al-Mg合金的耐腐蚀性逐渐增强;当合金中Mg的含量超过一定范围后,Al-Mg合金中会有晶态的金属间化合物Mg2Al3(β相)的析出,弥散分布在α相中,随着合金中Mg含量不断提高,β相越来越多,使得合金的耐腐蚀性降低。在1.22~1.3V范围内,Al-Mg合金中Mg含量随着沉积电压的增加而增加,α相逐渐增多,镀层表面颗粒不断细化,当电压为1.3V时,Al-Mg合金中Mg的含量最高,达到了12.93At%;超过1.3V后,Mg含量开始下降,颗粒变大,且部分聚集成簇状。沉积层厚度随着沉积电压的增加而增加。随着MgCl2的在熔盐中质量分数的增加,Al-Mg合金中Mg含量逐渐增加,β相越来越多,弥散分布α相中,当MgCl2质量分数为4%时,镀层中Mg含量最高,达到16.12At%。超细钨丝表面Al-Mg合金的电沉积的最佳工艺条件是沉积温度为220℃,沉积电压为1.3V,沉积时间30min,MgCl2的质量分数为3.5~4%,可以获得致密均匀的Al-Mg合金镀层,镀层中Mg的含量最高可达14.98At%。电化学研究表明,低温无机熔盐AlCl3-NaCl-KCl-Mg Cl2体系中,Al-Mg合金在钨电极上的沉积存在一定的不可逆性,成核机理与Al在无机熔盐中的机理类似。ChCl-urea-AlCl3-MgCl2离子液体体系中Al-Mg合金的共沉积电位在-1.0V附近,80℃下,-1.1V进行恒电位电沉积60min后,铜电极上可以获得原子比率接近4:1的Al-Mg合金,但镀层极薄,电流效率较低,Al-Mg合金在铜电极上的沉积可逆性较差。