硒化铋及其复合结构的光响应性能研究

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纳米材料研究的范围非常广,内容涵盖非常丰富,其研究领域从原子团到纳米颗粒、纳米线再延续到发展超薄二维纳米结构材料。既石墨烯之后,拓扑绝缘体(TI)作为新型的量子功能性材料,引起了广大国内外学者们的关注和研究,并且一批重要的研究成果相继被发表。我们的工作主要是针对拓扑绝缘体(TI)Bi2Se3材料,在Bi2Se3纳米片以及Ag/Bi2Se3复合结构的制备、形貌结构的表征和光响应特性能测试方面展开了比较系统的工作。全文共分为五章:第一章介绍了石墨烯、过渡金属二硫族化合物以及拓扑绝缘体材料等二维原子晶体材料的常用制备方法、性质特征以及应用领域,分析了目前仍然存在的问题以及未来的发展动态。第二章采用Li离子插入的溶液水热反应成功制备获得了Bi2Se3纳米片结构以及对其进行各项表征,测试结果表明我们成功剥离获得了厚度可达2-3 nm的单晶Bi2Se3纳米片结构。第三章介绍了块体Bi2Se3、Bi2Se3纳米片结构以及经退火处理后的Bi2Se3纳米片结构的光响应性能研究,测试分析了它们的光响应性能的表现。第四章研究了以硒化铋纳米片为载体,通过实验制备获得Ag/Bi2Se3纳米复合结构,另外,对Bi2Se3纳米片结构以及Ag/Bi2Se3复合结构进行了系统性的性能对比测试,发现Ag/Bi2Se3复合结构显示出非常显著的光响应特性。第五章总结了本人在硕士期间的主要研究方向和已取得的重要成果,并对目前还有待完善的工作以及可开辟的新领域进行了展望。
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