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在湿法磷酸生产中极易产生难以用常规的物化方法除去的Na2SiF6、K2SiF6及NaKSiF6垢。本文针对此问题，从晶体生长和结晶动力学角度探讨了抑制剂对Na2SiF6、K2SiF6及NaKSiF6的抑制过程。 首先，采用静态阻垢法，用ICP测定滤液中Na+、K+含量分别计算出Na2SiF6和K2SiF6阻垢率，得出抑制剂的抑制性能。其次，采用浊度法测定溶液在一定过饱和度下的结晶诱导时间，根据实验数据绘制出过饱和度与诱导时间的关系图，运用经典成核理论推算出Na2SiF6和K2SiF6析出的表面自由能，静态沉积实验中的固体产物采用SEM和XRD方法，表征Na2SiF6、K2SiF6及NaKSiF6晶体的形貌及晶型，结果表明: 在静态阻垢实验中，添加HEDP、ATMP、PBTCA三种有机膦阻垢剂和PAA、PASP、HPMA、NHSW-1100，NHSW-1400五种聚合物阻垢分散剂对Na2SiF6、K2SiF6及NaKSiF6的析出均有一定的抑制作用，聚合物阻垢剂的抑制效果优于有机膦阻垢剂，当加入NHSW-1400，浓度为100mg/L时，分别对Na2SiF6和K2SiF6的阻垢率为74.1％，55.7％。将不同种类阻垢剂复配使用时，其效果比单独使用任何一种阻垢剂时好。在Na+、K+单独体系下，加入复配阻垢剂NHSW-2300，浓度为100mg/L时，分别对Na2SiF6、K2SiF6的阻垢率可达到88.1％，64.5％;在Na+、K+共存体系下，加入复配阻垢剂NHSW-2500，浓度为125mg/L时，分别对Na2SiF6和K2SiF6的阻垢率可达到79.1％，51.7％。说明了不同阻垢剂间的协同作用可以有效地增大Na2SiF6和K2SiF6的溶解度，从而减缓系统结垢。 在浊度法实验中，添加的八种阻垢剂都可以延长Na2SiF6、K2SiF6及NaKSiF6析出的诱导时间，聚合物阻垢剂的抑制效果优于有机膦阻垢剂。当加入复配阻垢剂后，其抑制效果更为明显，添加复配阻垢剂NHSW-2300，浓度为100mg/L时，其Na2SiF6析出时的均相、异相表面自由能分别由34.9mJ/m2、107.9mJ/m2提高至53.99mJ/m2、154.0mJ/m2;K2SiF6析出时的均相、异相表面自由能分别由74.66mJ/m2、198.9mJ/m2提高至107.4mJ/m2、284.7mJ/m2。增大Na2SiF6和K2SiF6析出的表面自由能有利于降低结晶速率，减少沉积物的形成，与静态实验结果一致。 通过采用同种抑制剂在同一浓度下对Na+、K+单独体系和Na+、K+共存体系的阻垢性能比较，实验结果显示在单独体系下的抑制效果明显好于混合体系，表现出Na2SiF6与K2SiF6在晶体成核过程中存在相互诱导性。 SEM结果表明，抑制剂的加入可以使Na2SiF6、K2SiF6及NaKSiF6的晶体形貌发生变化，改变了Na2SiF6、K2SiF6及NaKSiF6垢的生长习性，使晶粒变得更分散、疏松。XRD结果表明，在Na+、K+单独体系下，加入阻垢剂前后Na2SiF6和K2SiF6晶体的衍射角度基本没有变化，但各峰强度有明显的减弱，即Na2SiF6和K2SiF6晶体的生长晶面发生了改变;在Na+、K+共存体系下，加入阻垢剂前后不仅仅是各衍射峰的峰强发生改变而且晶体的晶型NaKSiF6由转变为Na2SiF6和K2SiF6。