作为纳米材料中的一员,量子点因其独特的光学性质受到广泛的关注。影响量子点本征发射的主要因素是缺陷态。目前对缺陷态的理解还缺乏统一的认识,其主要原因是没有合适的标准样品。本文的目的在于获得光学性质近“理想”的硒化镉量子点并对缺陷态做出明确的指认。为此需要同时消除来自内部和表面的缺陷态。我们的第一个工作目的在于消除量子点的内部缺陷即获得高质量的结晶性。通过文献研究我们认为影响硒化镉纳米晶结晶性的主要因素是表面配体。实验中我们大量使用XRD拟合与高分辨电镜结合的分析手法以获得可靠的实验数据。实验结果证实了我们的猜想：配体对晶型的选择性起决定性的作用。膦酸根和羧酸根配体分别倾向于稳定纤锌矿相和闪锌矿相硒化镉,而胺作为次要配体其作用与反应条件密切相关。通过合理选择成核和生长阶段的配体,我们成功地在较低温度下合成了高质量纤锌矿硒化镉纳米晶,完成了纳米晶内部缺陷的消除。我们的第二个工作目的在于消除量子点表面缺陷。为此,我们发展了一种调节硒化镉纳米晶化学计量比及表面配体的方法。我们成功去除了所有的表面缺陷,合成了具有单通道荧光衰减,量子产率100%的近“理想”硒化镉量子点。该量子点可能是硒化镉量子点的“标准样品”。该处理方法可以应用于不同尺寸,晶型的硒化镉纳米晶。虽然不同晶型的硒化镉量子点荧光寿命有一定区别,但均能通过该方法处理获得近“理想”的光学性质。这些实验结果告诉我们硒化镉量子点的缺陷态完全来自于表面,与内部结构无关。通过对近“理想”硒化镉纳米晶进一步的表面处理,我们明确地指认了富硒表面与带间缺陷,富镉表面与带内缺陷的对应关系。总的来说,我们的工作证明了具有近“理想”光学性质的硒化镉量子点的制备是可能的,增加了人们对缺陷态的理解。