双波长半导体激光器具有效率高、结构紧凑、使用方便等优点,在很多领域有重要的应用。1030nm、1064nm等波段双波长半导体激光器在高亮度的激光彩色显示、激光彩色打印等设备及娱乐业等领域中具有广阔的应用前景。目前国内关于高功率双波长半导体激光器的研究相对于发达国家有着较大的差距,因此,研究出单片集成高功率、近衍射极限双波长半导体激光器具有重要的意义。在本论文的研究中,我们设计一种1064nm,1030nm双DBR半导体激光器结构,并在外延片上进行试验制做。本论文首先对半导体激光器的发展历程及原理进行了介绍。然后采用MOCVD系统对1064nm,1030nm双DBR半导体激光器外延结构进行生长,通过湿法腐蚀工艺制备出了脊形波导,采用325nm全息曝光系统对脊形波导进行全息光刻,完成DBR的制备,并利用ICP干法刻蚀,制备出光栅的周期结构,通过光刻、湿法腐蚀等工艺制备出了锥形放大器,初步完成了双DBR锥形半导体激光器的工艺制作。最后对研制的单DBR和锥形半导体激光器的输出特性进行了测试分析。