【摘 要】
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随着电子信息的发展,电子产品越来越智能化、多功能化,电子产品的存储设备也朝着微型化、高存储容量的方向发展。作为电子产品存储设备的典型代表的微硬盘的发展也越来越受关注
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随着电子信息的发展,电子产品越来越智能化、多功能化,电子产品的存储设备也朝着微型化、高存储容量的方向发展。作为电子产品存储设备的典型代表的微硬盘的发展也越来越受关注,特别是存储密度与抗跌落冲击特性等方面成为国内外学者重要的研究方向。为了迎合市场需求,硬盘的存储密度飞速增加,最新资料表明硬盘采用新存储技术HAMR的磁头,其理论存储密度可以达到5-10Tbit/in2,如此高的存储密度将使硬盘的磁头磁盘间距进一步减小,这将对硬盘内部的头盘界面抗冲击特性提出巨大的挑战。为了提高微硬盘内部的头盘界面抗跌落冲击特性,本文主要对头盘界面的跌落冲击响应进行研究。本文首先根据微硬盘驱动器的工作原理,对受到跌落撞击的头盘界面建立动力学模型,建立头盘系统运动微分方程,通过数值仿真方法对头盘界面的碰撞响应进行理论研究,得出硬盘驱动器头盘碰撞时的碰撞曲线。为了更全面地对微硬盘跌落冲击响应进行正确预测,首先应用ANSYS/LS-DYNA有限元动力仿真软件建立完整的微硬盘有限元模型,然后通过施加不同的冲击载荷对微硬盘有限元模型进行LS-DYNA动力仿真,分析不同的冲击幅值、脉冲宽度、跌落方式等对硬盘的磁盘片振动、头盘碰撞、磁头磁盘接触力以及摩擦力的影响。接着以冲击实验台为基础,对微硬盘样件进行激光切割使符合实验要求。设计加工微硬盘的夹具,建立跌落冲击系统实验台,对微硬盘做跌落冲击实验,利用激光多普勒振动测试仪(LDV)测出微硬盘受到跌落冲击作用时的头盘界面的动态响应。最后对微硬盘跌落冲击实验所得的数据进行对比分析,解释实验现象,总结微硬盘跌落冲击动态响应特性。
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