【摘 要】
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二氧化钒(VO_2)在光、热等激励作用下可发生金属-半导体相变,相变前后VO_2的电学、光学等性质发生可逆改变,这使其在智能窗、光开关和存储器等光学和电学器件上具有广阔的应用前景。利用磁控溅射金属钒薄膜耦合快速热氧化处理是制备VO_2薄膜的常用方法,这种方法具有易控制、重复性高等优点。但是,利用这种方法制备的VO_2薄膜相变性能通常较差,难以满足应用需求,因此,如何提升利用溅射氧化耦合方式制备的V
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二氧化钒(VO_2)在光、热等激励作用下可发生金属-半导体相变,相变前后VO_2的电学、光学等性质发生可逆改变,这使其在智能窗、光开关和存储器等光学和电学器件上具有广阔的应用前景。利用磁控溅射金属钒薄膜耦合快速热氧化处理是制备VO_2薄膜的常用方法,这种方法具有易控制、重复性高等优点。但是,利用这种方法制备的VO_2薄膜相变性能通常较差,难以满足应用需求,因此,如何提升利用溅射氧化耦合方式制备的VO_2薄膜的相变性能成为当前的研究热点。本文首先研究了在快速热退火之前加入预退火处理对氧化钒(VO_X)
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