目前半导体材料主要以Si和GaAs为主,由于它们在高温条件下一些性能不佳,使得以SiC为代表的第三代半导体材料得到了广泛的关注,SiC材料较高的击穿电压和热导率使器件功率承受能力大大提高,在高温大功率领域具有广阔的应用前景。本论文采用PVT法掺钒得到的两块尺寸为1cm? 1cm正方形半绝缘6H-SiC单晶片1#SiC和2#SiC,利用范德堡结构进行高温霍尔测试,获得了该类SiC单晶材料电学参数的温度特性关系。实验结果表明,在室温以上,随着温度逐渐升高,掺钒半绝缘SiC单晶材料的迁移率和载流子浓度逐渐增大,在575K和650K时发生受主杂质补偿,出现两次波动,且迁移率随补偿度加大而降低。同时电阻率随温度升高逐渐降低,到达500K之后,掺杂半绝缘SiC单晶材料已经不能满足高温器件之绝缘衬底的需要。