该文对GaP/桑色素,GaP/若丹明两种复合材料的制备、发光性质及形貌进行了研究,并对二者进行了分析比较;另外,对InP的复合材料进行了初步探索.首先制备了GaP/桑色素和GaP/若丹明的纳米复合材料,分别对它们进行了X-射线衍射（XRD）、红外光谱（IR）、拉曼散射及透射电子显微镜（TEM）的表征.通过对影响GaP/桑色素复合材料发光的因素的研究,发现在其它因素不变的条件下,复合材料的发光强度随桑色素含量的增加而增强,而峰位不发生移动;随着GaP纳米晶粒度的减小,发光峰位出现蓝移,发光强度随复合材料中GaP纳米晶的浓度而有所不同,浓度高则发光强.这更充分说明了GaP/桑色素复合材料的发光是由GaP纳米晶引起的,而桑色素只起传递能量的作用.对InP的纳米复合材料进行了初步探索,为了便于和GaP比较,我们选择了配体仍然是桑色素和若丹明.结果表明,InP能够与桑色素及若丹明形成复合材料,但InP与若丹明的配位比GaP与若丹明的配位更弱,InP/若丹明复合材料的发光波长在580nm附近,为黄光波段,荧光峰值波长为579nm,和GaP/若丹明纳米复合材料相比,蓝移了近60nm.