氢化非晶硅薄膜的射频磁控溅射制备和光学性质研究

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【摘要】

：

氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜是一种重要的光电功能材料。它具有光吸收率高、电阻温度系数大、可大面积低温成膜、易掺杂、基片种类不限等优点。a-Si：H薄膜在太阳能电池、电子摄像、液晶显示和光电探测器等领域有着越来越广泛的应用。本文主要研究a-Si：H薄膜的射频磁控溅射制备和a-Si：H薄膜的光学性质。本文采用射频磁控溅射的方法，在硅衬底和石英衬底上制备a-Si：H薄膜，利用红外吸收光谱对制备的薄膜进

【作者】

：

李廷

【机构】

：

北京工业大学

【发表日期】

：

2012年01期

【关键词】

：

a-Si:H 拉曼光谱光学带隙折射率

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