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随着纳米技术的发展,为设计低能源消耗、高灵敏度、低成本、便携式传感器创造了巨大的潜力。作为新兴的纳米材料,碳纳米管优异的导电性能、高比表面积和独特的中空结构使其成为气体分子吸附的理想材料。常用的半导体金属氧化物气敏材料通常需要在较高的温度下才正常工作,表现出半导体特性;但是较高的工作温度会给气敏元件带来如能耗损耗较大、使用寿命降低等诸多问题,甚至可能会使气敏元件成为爆炸源,成为安全隐患。本论文围绕制备基于碳纳米管的气体传感器为核心出发,在实验室场致发射的碳纳米管阵列制备工艺上,对碳纳米管阵列制备工艺