【摘 要】
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目前，由于各种来源的生活染料和工业生产有机污染物排放引起的环境污染日益严重。光催化技术因其可以彻底分解有机污染物产生无毒的CO2和H2O而引起广泛关注。以TiO2和ZnO为代表的宽禁带半导体材料，表现出良好的光催化性能。但是，由于其只能被波长低于400nm的紫外光激发，使得光量子利用率较低，限制了其应用。通过探索新的合成方法，金属离子掺杂或者异相半导体复合改性，扩展其吸收光谱，抑制光生电子与空穴的
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目前，由于各种来源的生活染料和工业生产有机污染物排放引起的环境污染日益严重。光催化技术因其可以彻底分解有机污染物产生无毒的CO2和H2O而引起广泛关注。以TiO2和ZnO为代表的宽禁带半导体材料，表现出良好的光催化性能。但是，由于其只能被波长低于400nm的紫外光激发，使得光量子利用率较低，限制了其应用。通过探索新的合成方法，金属离子掺杂或者异相半导体复合改性，扩展其吸收光谱，抑制光生电子与空穴的复合，是当前半导体光催化技术的主要研究方向。
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