【摘 要】
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报告首先讨论了表面薄膜技术的分类及发展,针对物理气相沉积近年来的状况,论述了PVD技术主要的发展方向.指出了脉冲手段和多种粒子源组合是传统PVD最新发展的主要趋势,闭环磁
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报告首先讨论了表面薄膜技术的分类及发展,针对物理气相沉积近年来的状况,论述了PVD技术主要的发展方向.指出了脉冲手段和多种粒子源组合是传统PVD最新发展的主要趋势,闭环磁场结构是提高磁控溅射的效率的行之有效的手段,全方位离子注入技术是现代PVD技术的一大进展.接着对多弧离子镀技术这种有效镀膜手段的发展进行了论述,研究了多弧离子子镀存在有镀膜不稳定和宏观粒子团污染问题.磁过滤的方法是解决污染的最有效手段,镀膜过程不稳定可以通过快速引弧系统解决.并指出阳极电弧技术也是一种有潜力的真空电弧沉积技术.采用多弧离子镀方法和全方位离子注入的方法制备了类金刚石碳膜.不同工艺下多弧离镀类金刚石碳膜结构差异很大,Raman光谱具有相似高强度D峰的DLC膜,内部结构差异可能很大,需要采用XPS等手段进一步验证.磁过滤器的加入,可以提高sp3杂化键在DLC膜中的形成.多弧离子镀类金刚石碳膜形核从不洁处开始,生长向外扩散.全方位离注入类金刚石碳膜在膜的表面多处成核,多处同时长大.报告最后提出了对块体材料进行曲成分调制、和纳米组装的材料制备方法.
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