托卡马克运行过程中的逃逸电子会对第一壁材料产生严重的冲击和破坏,外加共振扰动场是抑制逃逸电子的重要手段之一。本文主要通过数值模拟方法分析J-TEXT上共振扰动场对磁场拓扑结构的影响,进而通过跟踪试探电子运动轨迹分析共振扰动场对逃逸电子输运的影响。本文的主要内容:本文采用EFIT代码反演真实的实验炮号得到J-TEXT平衡场,追踪磁力线的轨迹得到共振扰动场对磁场拓扑结构的影响。通过模拟计算,共振扰动场线圈(DRMP和SRMP)会在等离子体中的有理面形成磁岛,等离子体边缘的磁岛发生重叠会使磁力线被打断重联形成随机层,这个随机层只出现在等离子边缘,所以磁场只是部分随机。RMP电流越大,磁岛越宽,边缘随机化越明显。本文通过求解逃逸电子哈密顿导心系统下的运动方程得到其运动轨迹,模拟中的扰动磁场包含了外加共振扰动场以及等离子体本身的磁湍流。模拟结果表明逃逸电子的能量及运动方向都会影响逃逸电子的运动轨迹。当电子的运动方向与环向相同时,逃逸电子向低场侧漂移,而电子的运动方向与环向相反时,逃逸电子向高场侧漂移。逃逸电子的能量越高,其约束区域越小,约束区域外的逃逸电子由于其运动轨迹与最外层磁面相交而迅速地损失掉。本文通过计算逃逸电子在不同能量、不同初始位置以及不同扰动电流情况下的损失率研究逃逸电子的输运。计算结果表明逃逸电子的损失率与其径向位置有关,共振扰动场能增加逃逸电子的损失率,高能量的逃逸电子损失主要是由约束区域的收缩引起的,共振扰动场的作用较小。该数值模拟结果与实验结果相吻合。